Die Gelegenheit

Schließen Sie sich unserem SiC-Leistungshalbleiter-Team als F&E-Praktikant an und tragen Sie zur Zukunft der Leistungselektronik bei. Sie unterstützen das Chip-Design und die Simulation und sammeln praktische Erfahrungen im gesamten Entwicklungszyklus von SiC-MOSFETs. Arbeiten Sie eng mit erfahrenen Ingenieuren und Prozessspezialisten in einem dynamischen, inklusiven Umfeld zusammen. Dies ist Ihre Chance, Ihre TCAD-Fähigkeiten auszubauen und Ihr Halbleiterwissen in einer realen Umgebung zu vertiefen.

So wirken Sie mit

• Unterstützung bei der konzeptionellen Gestaltung und TCAD-Simulation von SiC-Leistungshalbleitern

• Zusammenarbeit mit unseren erfahrenen Ingenieuren zur Verfeinerung von Bauelementstrukturen und Optimierung der Leistung

• Vorhersage elektrischer Eigenschaften und Validierung von Simulationsergebnissen

• Datenanalyse, Dokumentation der Ergebnisse und Präsentation von Erkenntnissen in Teammeetings

• Beitrag zu regelmäßigen Projektbesprechungen mit Ideen zur Verbesserung von Leistung, Kosten und Herstellbarkeit

Ihr Hintergrund

• Masterabschluss in Elektrotechnik, Physik oder Materialwissenschaften

• Erfahrung mit TCAD-Tools, idealerweise in der SiC-Bauelementsimulation

• Verständnis der SiC-Bauelementphysik

• Grundkenntnisse in der Halbleiterfertigung

• Starke analytische Fähigkeiten und Dateninterpretation

• Fließend in Englisch mit ausgezeichneten Kommunikationsfähigkeiten

Wir sind ein technologiegetriebenes Unternehmen mit starkem Fokus auf Innovation, kontinuierliche Verbesserung und nachhaltige Fertigung. Wir bieten flexible Arbeitsbedingungen, engagierte Betreuung und ein unterstützendes, inklusives Umfeld, in dem Sie persönlich und beruflich wachsen können – damit Sie erfolgreich sind und Beruf und Leben in Einklang bringen.